GD32替换STM32注意事项.pdf

GD32与STM32微控制器在很多方面具有相似性，尤其是在寄存器映射和函数库上，因此它们在某些条件下能够相互替代使用。但同时，GD32与STM32之间也存在一些关键性的差异，这些差异可能会导致在进行替换时，需要进行一定的适配和修改。 我们来看一下两者之间的共性，这包括： 1. 外围引脚定义：相同型号的GD32与STM32之间，管脚定义是相同的。 2. Cortex-M3内核：GD32和STM32都基于Cortex-M3内核，其中STM32F103内核版本为R1P1，而GD32F103内核版本为R2P1。 3. 寄存器地址映射：芯片内部寄存器以及外部IP寄存器的逻辑地址是相同的，这是基于STM32寄存器和物理地址进行了正向研发的结果。 4. 函数库文件：两者共享相同的函数库文件，但进行优化时需要修改相应的头文件。 5. 编译工具：在编译方面，如keilMDK和IAR等工具都是兼容的。 6. 型号命名方式：型号命名规则完全相同。 然而，当涉及到硬件差异时，我们需要注意以下几点： 1. 电压范围：GD32F系列的电压范围是2.6-3.6V，而STM32F系列的外部电压范围为2.0-3.6V，内核电压为1.8V。GD32的内核电压是1.2V。 2. BOOT0管脚：STM32的BOOT0管脚可以悬空，而GD32的BOOT0必须被外部下拉，这在从Flash运行时尤为关键。 3. ESD参数：GD32的人体模式ESD保护参数为4KV，优于STM32的2KV，而在空气模式下，GD32达到10KV，远超STM32的500V。 在性能方面，GD32F10系列与STM32F10系列也有不同： 1. 主频时钟：GD32F10系列的主频为108MHz，高于STM32F10系列的72MHz。 2. Flash擦除时间：GD32的擦除时间是60ms/page，而STM32是30ms/page。 3. FLASH容量：GD32的最大容量可以达到3MByte，而STM32的容量较小。 4. SRAM空间：GD32F103系列和大容量系列的SRAM空间为96K，比STM32的要大。 在功耗方面，GD32F系列在各种模式下的功耗也与STM32F系列有所不同： 1. 睡眠模式下，GD32F的功耗为12.4mA，而STM32F10X为7.5mA。 2. 深度睡眠模式下，GD32F为1.4mA，STM32F10X为24uA。 3. 待机模式下，GD32F为10.5uA，STM32F10X为3.4uA。 4. 运行功耗：GD32F在72MHz下为32.4mA，STM32F10X为52mA。 另外，GD32的内部Flash相比STM32也有自己的特性，包括擦写时间差异、存储寿命和加密特性等。在软件方面，虽然函数库文件基本相同，但在移植STM32的代码到GD32时，需要对宏定义、启动时间、晶振起振时间等方面进行适配修改。例如，需要调整启动时间宏定义，以适应GD32更快的执行效率；在使用有源晶振时可能需要加电容来解决复位问题；并且GD32的代码执行速度提高后，对于使用循环语句的精确定时功能也会受到影响。 在系统方面，GD32和STM32存在一些使用上的不同，比如在使用有源晶振的场景中，可能会遇到复位管脚电平无法保持高电平的情况，此时需要在输入端和地之间加入30pf的电容以解决问题。 以上是GD32与STM32在硬件与软件方面的异同点，以及在相互替换时需要注意的事项。在工程应用中，工程师需要根据具体情况，对这些差异进行详细的分析和适配，以确保项目能够顺利进行。